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ソニー、ダイナミックレンジ拡大/ノイズ低減を実現する新CMOSセンサー技術
2021年12月16日 15:48
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は、撮像特性の向上につながる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発した。
積層型CMOSイメージセンサーは、裏面照射型画素を形成した画素チップと、信号処理回路のロジックチップを重ねたセンサー。このうち画素チップについては従来、光を電気信号に変換するフォトダイオードと、信号を制御する画素トランジスタを同じ層に配置していた。
今回開発した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術では、この画素チップに含まれるフォトダイオードと画素トランジスタを別々の基板に形成し積層。それぞれに適した構造を採用できるようになった。
これにより、従来比約2倍の飽和信号量を実現し、ダイナミックレンジの拡大が可能となった。加えて、アンプトランジスタのサイズが大型化できるようになり、暗所撮影時に発生するノイズの大幅低減も果たしており、明暗差の大きい場面や暗いシーンでも高品質な写真撮影が可能になるという。
同社では、今回開発した技術を活用し、スマートフォン撮影などにおけるさらなる高画質化を図っていくとしている。
