Samsungが国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリの概要(講演番号7.4)。TLC(3bit/セル)技術による過去の発表との比較。表組みの右端(This Work)が今回の開発成果。中央は2021年2月のISSCCでSamsungが発表した開発成果、左端は2020年2月のISSCCでSamsungが発表した開発成果。Samsungの講演スライドから抜粋したもの
