Samsungが国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真(講演番号7.4)。記憶容量は1Tbit、ワード線の積層数は220層を超える。多値記憶はTLC(3bit/セル)方式。シリコンダイ面積は88.6平方mm。Samsungの講演スライドから抜粋したもの
