パナソニックが開発したReRAMセルの概要。左はセルアレイの回路図。1個のセル選択トランジスタと1個の抵抗スイッチング素子でメモリセルを構成する。中央はメモリセルの断面構造図。金属配線層の間に抵抗スイッチング素子をレイアウトしている。右は製造した抵抗スイッチング素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。パナソニックが2017年5月に国際学会IMWで発表した論文から
