パナソニックが40nm技術で製造した抵抗スイッチング素子。左は金属配線層を含めた断面を電子顕微鏡で観察した画像。右は抵抗スイッチング素子(RSE)の付近を拡大した画像。第2層金属配線と第3層金属配線の間にRSEを形成している。パナソニックが2018年5月に国際学会IMWで発表した論文から
