FinFETと互換のReRAMセル技術。上は鳥瞰図。赤い構造体はゲート電極とトップ電極。フィン状のチャンネルに沿ってトランジスタのゲート電極と記憶素子(抵抗スイッチング素子)のトップ電極が交互にならんでいる。中央はFinFETと記憶素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。下はメモリセルの平面図。TSMCが2015年12月に国際学会IEDMで発表した論文から
