セル選択トランジスタのコンタクトに抵抗スイッチング素子を形成するReRAMセルの構造。左はセル選択トランジスタと記憶素子の断面構造。タングステン(W)のコンタクト電極とセル選択トランジスタの拡散層の間に、金属酸化窒化膜の抵抗スイッチング層を形成している。中央は抵抗スイッチング素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。左はメモリセルアレイの平面図。TSMCが2012年12月に国際学会IEDMで発表した論文から

セル選択トランジスタのコンタクトに抵抗スイッチング素子を形成するReRAMセルの構造。左はセル選択トランジスタと記憶素子の断面構造。タングステン(W)のコンタクト電極とセル選択トランジスタの拡散層の間に、金属酸化窒化膜の抵抗スイッチング層を形成している。中央は抵抗スイッチング素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。左はメモリセルアレイの平面図。TSMCが2012年12月に国際学会IEDMで発表した論文から