TSMCが試作したSoCのシリコンダイ写真。16Mbitの埋め込みMRAMのほか、スタンダードセルのロジック回路、SRAM、電子ヒューズ、PLL回路を搭載した。製造技術は40nmのバルクCMOS技術。TSMCが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から

TSMCが試作したSoCのシリコンダイ写真。16Mbitの埋め込みMRAMのほか、スタンダードセルのロジック回路、SRAM、電子ヒューズ、PLL回路を搭載した。製造技術は40nmのバルクCMOS技術。TSMCが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から