前の画像
次の画像
記事へ
埋め込みフラッシュを埋め込みMRAMで置き換えることの利点
福田昭のセミコン業界最前線
微細化と高密度化の限界に挑むマイコン/SoCの埋め込みフラッシュ
2018年7月23日
GLOBALFOUNDRIESがマイコンやSoCなどに提供する高密度MRAM
2017年12月6日
マイコン内蔵メモリを狙うMRAM技術をGLOBALFOUNDRIESなどが開発
2017年6月9日
連載福田昭のセミコン業界最前線
STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来
2016年12月6日
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
2018年8月8日
Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発
2018年12月6日
Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術
2018年12月17日
Samsung/IBM/TSMC/GFがMRAM開発の最新成果を披露
2020年12月26日
世界最小のメモリセルで最先端マイコンの低価格化を牽引する相変化メモリ
2021年1月25日
高密度の埋め込みフラッシュ技術をSamsungとGFがIMW 2021で発表
2021年6月28日
次世代マイコンへの搭載を狙う長寿命の抵抗変化メモリがIMW 2022に続出
2022年6月27日
