MRAMの記憶素子である「磁気トンネル接合(MTJ)」の構造と動作。MTJは基本的には自由層(磁気モーメントが自由に動ける層)と固定層(磁気モーメントが動けないように固定されている層)、トンネル絶縁層で構成される。自由層と固定層で磁気モーメントの方向が平行か逆向き(反平行)かで、MTJを貫く電流の大きさが変化する

MRAMの記憶素子である「磁気トンネル接合(MTJ)」の構造と動作。MTJは基本的には自由層(磁気モーメントが自由に動ける層)と固定層(磁気モーメントが動けないように固定されている層)、トンネル絶縁層で構成される。自由層と固定層で磁気モーメントの方向が平行か逆向き(反平行)かで、MTJを貫く電流の大きさが変化する