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SK hynix、1.18TB/sの転送速度を実現したAI向けDRAMを量産開始
2024年3月19日 16:15
SK hynixは19日(韓国時間)、AI向け次世代DRAM「HBM3E」の量産を開始し、3月下旬より出荷すると発表した。
HBM3Eは、複数のDRAMチップを垂直に接続することで従来より転送速度を大幅に向上させたHBM(High Bandwidth Memory) DRAMの第5世代モデル。1秒あたり230本以上のフルHD動画(各5GB)を処理するのに相当する、最大1.18TB/sの転送速度を実現した。
冷却面では、チップを積層する際に液状の冷却材を充填して放熱性を高める「MR-MUF」(Mass Reflow Molded Underfill)を採用し、前世代と比較して放熱性能が10%向上している。
