Micron、1.2TB/sの帯域を実現したHBM3Eを量産開始。NVIDIA H200で採用

　米Micron Technologyは26日(現地時間)、1.2TB/sの広帯域を実現したメモリ「HBM3E」を量産開始したと発表した。MicronのHBM3EはNVIDIAの「H200 Tensor コア GPU」の一部となる形で、2024年第2四半期に出荷開始する。

　拡大するAIの需要の応え、ピンあたり9.2Gbps、合計1.2TB/sの広帯域を実現し、データへのアクセスを高速化。また、競合と比較して30%低い低消費電力、24GBの大容量を実現したとしている。設計には1β製造プロセス、高度なシリコン貫通ビア(TSV)、差別化されたパッケージングソリューションを実現するさまざまなイノベーションを駆使したという。

　3月にも1.2TB/s以上の広帯域および競合と比較して優れたエネルギー効率を実現するという36GB 12-High HBM3Eをサンプル出荷する予定としており、さらなるリーダーシップ拡大を目指す。