Micron、7,200MT/s対応のDDR5メモリ

　Micron Technologyは10日(米国時間)、1βプロセスノードを採用し、最大7,200MT/sの転送速度を実現した16Gb DDR5メモリを開発したと発表した。既に出荷も開始している。

　同社の1βプロセスをベースに製造され、High-K CMOS技術や4フェーズクロッキング、JEDECではオプションとなっているSRX/NOPクロック同期技術を搭載し、前世代(4800MT/s)と比較して最大50%性能が向上し、ワットあたりの性能も33%向上したという。

　特にデータセンターではCPUコア数が増加しているため、より高いメモリ帯域幅、容量に対するニーズが高まっており、本製品で対応できるとしている。