Micron、7mm厚2.5インチで容量7.68TBの“QLC NAND”採用SSD

5210 ION SSD

　米Micron Technologyおよび米Intelは21日(米国時間)、業界初となるセルあたり4bitの記録が可能な3D NANDの量産および出荷の開始を発表した。

　セルあたり4bitを記録できるQLC NANDは、現在主流となっているセルあたり3bit記録が可能なTLC NANDを超える記録密度を可能とする。今回MicronおよびIntelでは、64層の3D NANDでQLC NANDを生産しており、ダイあたり1Tb(テラビット)の世界最高密度の実現を謳う。

　Micronの技術開発担当副社長を務めるScott DeBoer氏は、リリース文のなかで「64層QLC NANDでは、アレイ密度をTLC比で33％向上でき、半導体の歴史上初となる市販された1Tbダイとなった」と述べている。

　Micronは同日、64層QLC NAND採用のエンタープライズ向けSATA SSD「5210 ION SSD」を発表、出荷を開始している。5210 ION SSDでは、7mm厚2.5インチフォームファクタで1.92～7.68TBの容量がラインナップされている。

　両社はQLC NAND製品について、競合他社が2プレーンのところ、4プレーン構成とすることで、より多くのセルに並列して読み書きが可能で、システムレベルでより速いスループットと高い帯域幅を実現するとしている。

　同時に、同社では96層3D NANDの開発進捗状況についても報告しており、積層数を50%増加させたという。

　今回発表された64層QLCと96層TLCは、ともに「CMOS Under the Array (CuA)」技術を採用することで、ダイサイズの縮小と性能の向上を実現しているという。