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強誘電体メモリ技術の注目講演。プログラムと報道機関向け資料から筆者がまとめたもの
福田昭のセミコン業界最前線
TSMCが12月のIEDMでサブnm時代をにらんだトランジスタ技術を発表へ
2022年10月31日
12月の国際学会IEDMに次世代不揮発性メモリの研究成果が集結
2022年10月28日
サブナノメートルのトランジスタ技術や8Gbitの大容量強誘電体メモリなどが登場するIEDM 2021
2021年11月16日
オンライン開催のIEDM 2020、次世代半導体開発の最新成果を喰らい尽くす
2020年12月5日
12月のIEDM 2019で3nm世代の半導体技術の姿形が浮上
2019年10月28日
3次元化するサブナノメートル時代のCMOSロジック
2023年11月20日
次世代のCMOSロジックを支える新技術
2023年12月14日
2,000名近い参加者と過去最高の投稿件数を集めた国際電子デバイス会議(IEDM)
2023年12月16日
imec、2nmプロセスでの半導体設計用キットを公開
2024年2月21日
AIハードウェアの進化を担うデバイスやプロセス技術が続出。IEDM 2024開催
2024年12月9日
サブナノメートル時代のAIチップを支えるトランジスタ技術
2025年10月29日
NANDは5bit/セル、DRAMは8層の時代へ。IEDM 2025で明かされる半導体の“次の常識”
2025年11月10日
