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3D NANDフラッシュメモリの高層化推移(試作発表ベース)。各社の発表を基にまとめたもの
福田昭のセミコン業界最前線
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
IntelのNAND事業を買収するSK Hynixの野望
2020年11月10日
Micron、世界初の176層NANDフラッシュを出荷
2020年11月11日
Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作
2020年6月1日
過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場
2019年8月9日
Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
2018年8月13日
Samsung、業界最高ビット密度の第8世代V-NANDを量産開始
2022年11月7日
世界で初めて232層NANDを商品化したのは、中国のYMTCだった
2022年12月7日
「フラッシュメモリサミット」に次世代のNANDフラッシュとストレージが集結
2023年7月27日
321層の超高層3D NANDフラッシュをSK hynixが披露
2023年8月14日
Western Digitalが明らかにする3D NANDフラッシュの「不都合な真実」
2023年8月28日
技術革新を迫られるNANDフラッシュの高密度化
2023年11月29日
