3D NANDフラッシュセルの性能比較。温度はいずれも77Kの極低温環境。左は従来と同様に多結晶シリコンのチャンネルで試作したセル。6bit/セルの多値記憶を達成した。右はチャンネルの材料を単結晶シリコンに変更して試作したセル。7bit/セルとさらに多くのデータを読み書きできた。キオクシアがIMW 2022で公表した論文から(論文番号5.2)
