ワード線の積層数が176層と過去もっとも多い512Gbit 3D NANDフラッシュメモリの概要。表中の「This Work」が今回の開発成果。「ISSCC2019」とあるのはISSCC2019でキオクシア(東芝メモリ)-WD連合が発表した128層512Gbitチップの概要。SK hynixが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.1)
