176層の3D NAND技術とTLC方式の多値記憶技術によって試作した512Gbitフラッシュメモリのシリコンダイ写真。シリコンダイ面積は47.4平方mm(記憶密度から筆者が計算した推定値)。SK hynixが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.1)

176層の3D NAND技術とTLC方式の多値記憶技術によって試作した512Gbitフラッシュメモリのシリコンダイ写真。シリコンダイ面積は47.4平方mm(記憶密度から筆者が計算した推定値)。SK hynixが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.1)