キオクシア、QLC技術を用いたUFS 3.1対応512GBの組み込みフラッシュを試作

　キオクシア株式会社は19日、4bit/セル(QLC)技術を用いたUFS Ver.3.1インターフェイス準拠の組み込み式フラッシュメモリのPoC(Proof of Concept)試作品をサンプル出荷開始した。

　QLCのUFS製品が、スマートフォンのフラグシップモデルなど、高機能モバイル機器でも十分な性能を実現することを確認するためのOEM向け出荷となっている。PoC試作品はBiCS FLASHの1Tbit(128GB)のQLC製品を用いた512GBのQLC UFSとなっている。

　今後はUFSへQLC技術を採用することで、大容量化が加速するモバイル市場のニーズに応えるとしている。