SK hynixの3D NANDフラッシュ技術世代。セルトランジスタの記憶技術はチャージトラップ。「4D」とあるのは、CMOS周辺回路とメモリセルアレイを積層した技術を導入した世代。積層によって「D(次元)」が1つ増えたと考え、表記を「3D」から「4D」に変更した
