キオクシアとWD、ライト性能が約2.4倍向上した第6世代3D NANDフラッシュ

　キオクシア株式会社およびWestern Digitalは18日、第6世代3D NANDフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。

　第6世代3D NANDでは、垂直方向に162層のメモリを積層し、平面方向のセルアレイ密度を前世代比で最大10%向上した。これによりダイサイズを40%小型化し、製造コストを抑えたとする。

　加えて、CUA(Circuit Under Array)技術や4プレーン構成の採用により、前世代と比べてI/O性能が66%向上。ライト時の性能では約2.4倍、リード時のレイテンシでは10%の短縮を実現しているという。