QLC(4bit/セル)方式を採用した大容量3D NANDフラッシュメモリの試作例。表中の［1］はIntelとMicronが共同開発したチップ(IMW2020で発表)、［3］はSK hynixが開発したチップ(ISSCC2020で発表)、［5］はキオクシア(東芝)-WD連合が開発したチップ(ISSCC2019で発表)、［4］はSamsungが開発したチップ(ISSCC2018で発表)。Intelが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.2)
