Intelが開発した144層(第4世代)の3D NANDフラッシュメモリの概要(左)とシリコンダイ写真。左の表で左側の「Previous Work、96」とあるのが第3世代の試作シリコンダイの概要、右側の「This Work、144」とあるのが第4世代の試作シリコンダイの概要。記憶容量は1Tbitで変わらない。Intelが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.2)
