TSMCが28nm技術で試作した記憶容量が1Mbitの埋め込みReRAMマクロ。左はシリコンダイ写真、右はマクロのおもな仕様(製品仕様ではない)。同社が2014年2月に国際学会ISSCC2014で発表したスライドから

TSMCが28nm技術で試作した記憶容量が1Mbitの埋め込みReRAMマクロ。左はシリコンダイ写真、右はマクロのおもな仕様(製品仕様ではない)。同社が2014年2月に国際学会ISSCC2014で発表したスライドから