TSMCが65nm技術で試作した記憶容量が4Mbitの埋め込みReRAMマクロ。左はシリコンダイ写真、右はReRAMマクロのおもな仕様(製品仕様ではない)。同社が2012年2月に国際学会ISSCCで発表した論文から
