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OPPO、TSMC 6nm採用で高性能な画像向けNPU「MariSilicon X」

MariSilicon X

 OPPOは、14日(現地時間)より開催している「OPPO INNODAY」にて、6nmプロセスの自社開発イメージングNPU「MariSilicon X」を発表した。2022年第1四半期に投入する新型Find Xシリーズへの搭載を予定している。

 MariSilicon Xは、TSMC 6nmプロセスによって製造された同社初の自社開発イメージングNPU。INT8では18TOPSの演算性能を発揮し、Apple A15より高い性能を謳う。加えて、1Wあたり11.6TOPSの高い電力効率も特徴としている。Find X3 Proでの4K AI処理と比べると、消費電力を半分以下に抑えながら、20倍の速度で処理できるという。

INT8では18TOPSの演算性能を発揮。消費電力も抑えている
Find X3 Proと比べて20倍の性能を謳う

 加えて、Tbit級のサブシステムや最大8.5GB/sの専用DDRメモリ帯域も用意。処理の効率化/高速化やデータのやりとりにともなう消費電力を削減を図っている。また、同社が2021年8月に発表したRGBWセンサーに合わせて設計しており、RGBとW(白)の信号を別々に処理した後に合成するRGBW PRO Modeも備える。

 ISPにも改良を施しており、20bit/120dBのダイナミックレンジでの撮影をサポートし、コントラスト比は最大100万:1を実現。高い性能を活かし、AI処理やHDR合成などをRAWでリアルタイムに処理可能とし、情報の損失も抑えている。

Tbit級のサブシステムを搭載
DDRメモリ帯域も専用に用意
同社のRGBWセンサーに合わせた機能も備える
各種処理をRAWで行なえるように
広いダイナミックレンジを実現