TSMC、7nm比で18%密度向上となる6nmプロセス「N6」

　Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)は16日(台湾時間)、同社の7nmプロセス(N7)をベースに微細化を進めた「6nmプロセス(N6)」を発表した。

　6Nでは、すでにリスク生産が開始された「N7+」で採用されている極端紫外線(EUV)露光技術が用いられており、N7プロセス比で18%高いロジック密度を実現するという。

　デザインルールはN7と互換性を持ち、提供済みの包括的なデザインエコシステムを再利用できるため、限られたエンジニアリングリソースで、素早くシームレスな移行パスを提供するとしている。

　2020年第1四半期にN6のリスク生産開始が予定されており、モバイルや民生アプリケーション、AI、ネットワーキング、5Gインフラ、GPU、HPCなどでの活用が見込まれている。