中央大学、3D NANDのエラー40%削減とデータ保持寿命の2.8倍増加を実現

　中央大学 理工学部 竹内健教授のグループは12月6日、大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける信頼性劣化の原因を突き止め、それを改善する手法を発表した。

　同グループによると、NANDフラッシュメモリにおける垂直方向の電荷の移動が、メモリセルの信頼性を劣化させているとしており、この電荷移動を抑制する手法「VTH Nearing」を開発することにより、データ保持中のメモリエラーを40%削減し、データを保持できる時間を2.8倍に増加させられたという。

　具体的には、隣接するメモリセルのしきい値電圧(VTH)の間隔を近づけるように、SSDコントローラで変調をかけることで、垂直方向の電界が低減することを抑え、電荷移動を抑制するとしている。

　この研究成果は、12月2日～6日にサンフランシスコで開催されたIEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)で発表された。