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富士通セミコンとNantero、カーボンナノチューブを利用した次世代不揮発性メモリ「NRAM」開発で協業

~DRAM相当の速度でFlashの数千倍の書き込み耐性。2018年に商品化

NRAM

 富士通セミコンダクター株式会社および三重富士通セミコンダクター株式会社は8月31日、米Nanteroのカーボンナノチューブを利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに、55nmテクノロジーでの商品化に向け、3社で共同開発することで合意したと発表した。

 NRAMは、カーボンナノチューブ(CNT)を利用した不揮発性メモリ。組み込みFlashメモリ比で数千倍の書き換え耐性、DRAM相当の速度、DRAM以上の密度を実現するとされ、Nanteroによれば、5nm未満までスケーリングが可能であるという。

 製造は三重富士通セミコンダクターが請け負う形となり、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースの技術を提供する予定で、富士通セミコンダクターは、2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化を目指すとしている。

 単体NRAM製品については、前述の混載カスタムLSI商品化以降にラインナップを予定する。

NRAMの構造