2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術(13/14)

セル電流の減少を緩和する手法の候補。左はチャンネルの再結晶化による抵抗の低減(MILC)。ただし2世代程度しかもたないとする。右はメモリセルアレイを複数のウェハに分割して形成し、その後に貼り合わせることでチャンネル長を制限し、電流の減少を抑える手法。