左は、SK hynixが試作した321層(メモリセルの積層数)の3D NANDフラッシュの断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像。メモリストリングは3つのプラグで構成してある。メモリセルの下には従来と同様に周辺回路をレイアウトした。右は321層の実現に寄与した要素技術。SK hynixがキーノート講演で発表したスライドから
