321層2TbitのQLC NANDをSK hynixが量産開始。300層以上はQLCで世界初

321層2TbitのQLC NANDフラッシュ

　SK hynixは8月25日(韓国時間)、321層からなる2TbitのQLC NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。QLC技術で300層以上を実装するのは世界初という。2026年前半には搭載製品が登場予定。

　SK hynixの321層2Tbit QLC NANDフラッシュは、前世代と比べて、データ転送速度が2倍になり、ライト速度は最大56%、リード速度は最大18%向上した。ライト時の電力効率も23%以上改善されている。

　SK hynixはこのQLC NANDフラッシュを、まずはPC向けに提供。エンタープライズやデータセンター、スマホ用UFSなどよりも先に展開する計画とのこと。

　また、32台をワンパッケージ化する同社の32DP(32 Die Package)技術を活用して密度を2倍にすることで、AIサーバーのための超大容量eSSD市場への参入も見据えているという。