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技術講演会の注目発表(その2)。強誘電体技術を3D NANDフラッシュ技術に導入する発表と、DRAMに関する発表をまとめた
福田昭のセミコン業界最前線
次世代マイコンへの搭載を狙う長寿命の抵抗変化メモリがIMW 2022に続出
2022年6月27日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
キオクシア、3D NANDフラッシュで6bit/セルの超多値記憶を確認
2021年7月27日
高密度の埋め込みフラッシュ技術をSamsungとGFがIMW 2021で発表
2021年6月28日
富士通とソニー、IMW 2021で次世代不揮発性メモリの開発成果を披露
2021年6月21日
Samsung、今後の3D NANDフラッシュの課題と対策を解説
2023年5月25日
「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術
2023年5月30日
AI向け3次元DRAMやキャパシタレスDRAM技術などが目白押し。国際メモリワークショップ開催へ
2024年5月8日
AI時代に不可欠の「HBM」。容量も速度も飛躍したが、開発がさらに加速
2024年5月15日
20TBのSSD、2028年には300ドル前後に。その鍵は?
2024年5月24日
次世代のDRAM技術を模索する国際メモリワークショップ(IMW)
2024年8月23日