単層の多結晶シリコンを追加するだけで済む埋め込みフラッシュセルの断面構造。上(a)は従来のバルクシリコンを基板とする構造。下(b)はGLOBALFOUNDRIES(GF)が開発したFD-SOIを基板とする構造。制御ゲートと消去ゲートをSOI層に作り込んだ。IMW2021でGFが発表した論文から
