高密度の埋め込みフラッシュ技術をSamsungとGFがIMW 2021で発表(9/13)

試作した20Mbit埋め込みフラッシュマクロの書き換えサイクル特性。10万回の書き換えサイクルを経ても、十分な読み出しマージンを確保している。IMW2021でSamsungが発表した論文から