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2009年から2020年までの投稿論文数と採択論文数の推移。5月18日のオープニング・リマークから
Samsung、業界初のEUV採用DRAMモジュールの出荷開始
2020年3月26日
Intel、144層のQLC NANDを2020年に「Arbordale+」として投入
2019年9月26日
Micron、業界初“1z nm”プロセスのDDR4メモリ量産開始
2019年8月19日
福田昭のセミコン業界最前線
再び勢いを増した次世代メモリの研究開発
2019年5月15日
微細化に頼らずに大容量化を進める次世代DRAM技術
2018年12月6日
MicronがDRAMと3D NANDの開発状況を一部明らかに
2018年6月22日
Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作
2020年6月1日
富士通とソニー、IMW 2021で次世代不揮発性メモリの開発成果を披露
2021年6月21日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
Micron、1βプロセス製造のDRAMを量産開始。容量密度35%向上
2022年11月2日
マイクロン広島工場と広島エルピーダを結ぶキーワード
2022年11月28日
