Micron、業界初“1z nm”プロセスのDDR4メモリ量産開始

シンガポールの3D NANDフラッシュ生産拠点

　米Micron Technologyは15日(米国時間)、世界初となる“1z nm”プロセスノードを用いた16Gb DDR4の量産開始を発表した。

　同社は1z nmノードを用いることで、前世代の1Y nmからDRAMの性能向上とコスト削減を実現する。

　1z nmノートについて、同社は業界最小のフィーチャーサイズであると謳っており、コンピュートDRAM(DDR4)、モバイルDRAM(LPDDR4)、グラフィックスDRAM(GDDR6)製品ラインのそれぞれに活用でき、電力と性能の最適化されたバランスは、とくに人工知能や自動運転車、5G、モバイルデバイス、グラフィックス、ゲーム、ネットワークインフラ、サーバーなどのアプリケーションで真価を発揮できるとしている。

　今回量産が開始された1z nmノードの16Gb DDR4では、前世代の8Gb DDR4製品と比較して、消費電力を約40%削減できるなどの優位性があるとする。

モバイル向け16Gb LPDDR4X

　同社では、モバイルデバイス向けに1z nmノード製造の16GbのLPDDR4X DRAMの量産も開始。UFSベースのマルチチップパッケージ(uMCP4)としても提供される。

　1パッケージで最大8ダイまでスタック可能で、モノリシックなLPDDR4Xとして業界最大容量の1チップで最大16GB(従来のLPDDR4の2倍)を実現した。

　1z nmノードのLPDDR4Xでは、業界最高クラスの低消費電力性能と、最大4,266Mbpsの動作クロック速度を提供。4Kビデオ再生などメモリを酷使するアプリでは、前世代ソリューションよりも最大10%少ない消費電力で動作するという。

　現在同社では、LPDDR4Xをディスクリートソリューション、64GB+3GB～256GB+8GBのuMCP4という8構成で量産、提供する。

NAND生産拠点も拡張

　加えて14日には、シンガポールの3D NANDフラッシュの生産拠点(Fab 10)の拡張工事を完了しており、2019年後半に拡張した施設でのNAND量産開始を予定している。

　ただし、拡張施設での生産については市場需要の傾向に合わせた計画を行なうとしているほか、新たなウェハ容量の追加予定はないとしているため、本施設の稼働でNANDフラッシュの供給量が劇的に増加することはないと見られる。