Samsung、初のDDR4メモリを開発

1月4日(現地時間) 発表



 韓国Samsung Electronicsは4日(現地時間)、初のDDR4メモリを開発したと発表した。

 今回開発したDDR4は、動作電圧1.2Vで2.133Gbpsのデータ転送速度を達成。このDRAMを用いた容量2GBのUnbuffered DIMMを、テスト用にコントローラメーカーに提供しているという。製造プロセスは30nmクラス。

 2011年後半には、サーバーメーカーとDDR4の協業を計画している。

(2011年 1月 6日)

[Reported by 山田 幸治]