SK hynix、1anmプロセス/EUV採用の8Gbit LPDDR4 DRAMを量産開始

　SK hynixは12日(韓国時間)、1anmプロセスを採用したモバイル向けとなる8Gbit LDDR4 DRAMの量産を開始したと発表した。

　転送レート4,266Mbpsを安定して発揮しながら、20%の省電力化が実現できるとする。スマートフォンメーカー向けに2021年後半から提供を開始する見込み。

　10nmプロセスの製品としては、1x、1y、1zに続く第4世代に相当する。EUV(Extreme Ultra-Violet)リソグラフィ技術を採用し、従来の1znmと比べて、同サイズのウェハから25%程度多くのDRAMチップを製造できるという。なお、1anmプロセス技術は次世代DRAMとなるDDR5製品にも採用される予定。