中国・紫光国芯、独自開発のDDR4メモリを量産開始か

　中国の半導体メーカー西安紫光国芯半導体有限公司の英文のホームページ、DDR4メモリモジュールに関する情報が掲載されている。

　西安紫光国芯半導体有限公司は、Qimondaが2009年4月に事業再生手続きを行なったさいに、西安にあった開発拠点を再生して2009年5月に設立された「西安華芯半導体有限会社」を、清華大学の投資ファンド「清華控股有限公司」が投資し改名した会社。中国の紫光国芯グループに属する。

　これまで、SDR/DDR/DDR2/DDR3メモリや、NANDフラッシュなどを開発/製造してきた。2017年末に投資者向けサイトで同社がDDR4メモリを開発していることが明らかとなり、2018年の量産を明言していたのだが、同社のサイトでのDDR4モジュールに関する情報が公開された。

　同社のDDR4モジュールはUnbuffered DIMM(U-DIMM)とSO-DIMMの2種類で展開する。

　U-DIMMは「SCQ04GU03AF1C-21P」、「SCQ04GE03AF1C-21P」、「SCQ08GU13AF1C-21P」の3モデルで、容量およびランクは前2つが4GBで1ランク、後1つが8GBで2ランクと見られる。

　SO-DIMMは「SCQ04GS03AF1C-21P」と「SCQ08GS13AF1C-21P」の2モデルで、容量およびランクは前者が4GBで1ランク、後者が8GBで2ランクと見られる。

　いずれも駆動電圧は1.2V、速度は2,133MHzと、DDR4登場初期のレベルに留まるが、量産中だとされている。

　DDR4チップに関する製品情報がまだ掲載されておらず、データシートも404エラーで参照できないため、厳密に言えば他社のチップを使っている可能性も否定できないが、DRAMとNAND専業の半導体メーカーという立場からして考えにくい。

　唯一気がかりなのは、8GBモジュールのSCQ08GU13AF1C-21Pを使ったCPU-Zの結果が、2016年9月24日の時点ですでに登録されている点。もしかしたら同社はかなり前よりこの製品を開発していたのかもしれない。