Intel、米アリゾナ州に7nmプロセス量産を目指す半導体工場を70億ドルで建設

建設中のFab 42 ※リンク先高解像度写真

　米Intelは8日(現地時間)、ホワイトハウスにて、米アリゾナ州で建設中の新ファウンドリ「Fab 42」の完成に70億ドル(約7,860億円)を投資すると、米ドナルド・トランプ大統領および同社CEO ブライアン・クルザニッヒ氏の共同発表を行なった。

　7nmプロセスによる半導体の大量生産を目標としたファブで、完成後は世界最先端の半導体工場となるとしている。完成までの期間は3～4年の見込み。

　Intelは、7nmプロセスの生産には、従来の液浸ArFエキシマレーザーを用いたパターニング、EUV (Extreme Ultraviolet)露光技術を用いたパターニングの2つを並行して開発していると述べており、Fab 42が7nm生産をターゲットにしていることから、技術的に何らかの目処が立ったものと見られる。

　なお、元々Fab 42は2013年に稼働開始予定とされていたが、2014年に稼働の延期を発表していた。

　Intelでは、Fab 42の完成で約3,000人規模の直接雇用を生み出し、工場運営の関連企業など間接的な影響を合わせ、アリゾナ州で1万人以上の長期雇用を創出する見込みとしている。