【IEDM 2010レポート】
次世代CMOSロジック、NANDフラッシュの開発が進展

(2010/12/10)

【IEDM 2010レポート】
スピン注入メモリの開発に本腰を入れ始めた韓国メモリ大手

(2010/12/8)

【IEDM 2010レポート】
2xnm世代の高密度大容量を実現したNANDフラッシュ技術

(2010/12/7)