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DRAMとNANDフラッシュ、PCM(相変化メモリ)のロードマップ
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
ワンチップ128GBのフラッシュメモリを実現する3D NAND技術
2013年8月23日
Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける
2013年8月19日
Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始
2013年8月7日
Micron、16nmプロセス/128GbitのNANDフラッシュをサンプル出荷開始
2013年7月17日
連載福田昭のセミコン業界最前線
ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
2012年10月23日
【VLSI 2009レポート】東芝、SSDの大幅なコスト削減を可能にするNANDフラッシュを試作
2009年6月17日
Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表
2014年8月8日
本格化する3D NANDフラッシュの量産競争
2015年4月1日
東芝、3D NANDメモリ用の新工場を建設
2016年2月2日
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
2017年8月18日
IntelとMicronが歩んだNANDフラッシュ連合の始まりと終わり
2018年1月22日
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
2018年2月26日
DRAMの進化は容量か、それとも速度か。基本から振り返る
2023年10月23日
