3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー(11/13)

3D NAND技術の製造コスト(記憶密度)比較。なお、SanDiskと東芝が開発中の3D NANDセルは浮遊ゲート技術ではなく、電荷蓄積(チャージトラップ)技術のMLC(2bit/セル)である