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「2030年に1,000層」を3D NANDフラッシュメモリの開発目標として記述したSamsungの技術ブログ(2022年12月19日付け)
福田昭のセミコン業界最前線
技術革新を迫られるNANDフラッシュの高密度化
2023年11月29日
321層の超高層3D NANDフラッシュをSK hynixが披露
2023年8月14日
Samsung、今後の3D NANDフラッシュの課題と対策を解説
2023年5月25日