321層の超高層3D NANDフラッシュをSK hynixが披露(2/13)

メモリセルの積層数が321層ときわめて多い3D NANDフラッシュメモリの概要。量産ラインへの移管を始めたとする。量産開始は2025年前半の予定。SK hynixがキーノート講演で発表したスライドから