将来の3D NANDフラッシュを実現する技術候補の概念図。上(a)は犠牲エッチング用スリットの間隔を拡大して横方向の密度を高める技術。中央(b)は電荷捕獲領域をセルごとに分離して電荷のリークを抑える技術。下(c)は電荷捕獲膜を強誘電体膜で置き換える技術。SamsungがIMW 2023で公表した論文(論文番号1.3)から
