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3D NANDフラッシュ大手各社が採用してきた要素技術とその変化。SamsungがIMW 2023で公表した論文(論文番号1.3)から
福田昭のセミコン業界最前線
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
キオクシア、3D NANDフラッシュで6bit/セルの超多値記憶を確認
2021年7月27日
高密度の埋め込みフラッシュ技術をSamsungとGFがIMW 2021で発表
2021年6月28日
「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術
2023年5月30日
2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
2024年1月5日
AI向け3次元DRAMやキャパシタレスDRAM技術などが目白押し。国際メモリワークショップ開催へ
2024年5月8日