試作したSOT-MRAMのメモリセル構造(左)と試作したメモリセルの断面を電子顕微鏡で観察した画像(右)。磁気トンネル接合(MTJ)の大きさは75nm×230nm。磁化の方向は面内(in-plane)。SCMはドープドタングステン(Doped W)。TSMCなどの共同研究グループが2022年6月に国際学会VLSIシンポジウムで公表したスライドから(講演番号T11-3)
